“平安城市”是近期中國安防業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力,2011年起在全國范圍內(nèi)推行,預(yù)計(jì)“十二五”內(nèi)將帶動(dòng)2400萬個(gè)攝像頭.約合1200億元左右的行業(yè)產(chǎn)值。視頻監(jiān)控系統(tǒng)國內(nèi)市場發(fā)展?jié)摿薮螅A(yù)計(jì)到“十二五”末,國內(nèi)監(jiān)控?cái)z像機(jī)的每千人擁有量將達(dá)到25臺(tái),同時(shí)考慮設(shè)備更新、出口產(chǎn)值增加的因素,預(yù)計(jì)2015年視頻監(jiān)控設(shè)備產(chǎn)值將超過1100億元,CAGR(復(fù)合年均增長率)達(dá)到23%。
攝像機(jī)作為監(jiān)控領(lǐng)域前端設(shè)備的排頭兵,未來的發(fā)展前景十分廣闊,而作為攝像機(jī)核心部件的芯片,其一舉一動(dòng)都牽動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的神經(jīng)。隨著安防行業(yè)的需求越來越明確,已有越來越多的芯片廠家開始關(guān)注并主動(dòng)去推廣安防這個(gè)潛力巨大的市場,安防芯片市場有望成為繼工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子等領(lǐng)域之后一個(gè)新的利潤聚焦點(diǎn)。然而,在中國這個(gè)全民缺失自主產(chǎn)權(quán)的核心芯片技術(shù)的時(shí)代,安防芯片的國產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)化同樣成為中國安防企業(yè)搶占技術(shù)高地的掣肘。
MCCD
1.MCCD簡介
從圖像傳感器的制作工藝上分,目前只有兩種工藝:一種是CCD,另一種是CMOS。CCD是集成在半導(dǎo)體單晶硅材料上,而CMOS是集成在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體材料上。
從圖像傳感器的架構(gòu)上分:CCD的曝光由XSG1、XSG2及XSUB控制,讀出由XH1、XH2、XV1、XV2、XV3、XV4控制,這些信號(hào)都來自DSP,因此CCD是被動(dòng)器件;而CMOS的曝光及讀出,都來自于芯片內(nèi)部的時(shí)基生成模塊,因此CMOS是主動(dòng)器件。
從彩色德光陣列來看,一般的CCD使用互補(bǔ)色CMYG的德光陣列,而CMOS使用原色RGB的濾光陣列。CMYG陣列對光線的衰減少,但是色彩還原時(shí)不如RGB的陣列豐富,因此更加適合于對光靈敏度要求高的安防行業(yè)。
MCCD既不是CMOS又不是CCD,它汲取了CMOS與CCD的特點(diǎn),將圖像傳感器像素的靈敏度及面質(zhì)推上了一個(gè)更高的臺(tái)階。
MCCO使用CMYG互補(bǔ)色濾光陣列,具有如CCD一樣的畫質(zhì),比CCD高的可見光靈敏度及超高的紅外光靈敏度、更大的動(dòng)態(tài)范圍。MCCD使用與CCD兼容的曝光、讀出控制方式(使用XSUB、XSG1、XH1、XH2、XV2、XV4信號(hào)),因此MCCO是與CCO相同的被動(dòng)器件。MCCD又利用CMOS工藝集成度高的特點(diǎn),將先進(jìn)的圖像信號(hào)處理器及AFE的功能集成到芯片中,有效提高了圖像質(zhì)量。
2.MCCD技術(shù)特點(diǎn)
從圖3中可明確看出MCCO與CCD應(yīng)用電路之間的區(qū)別主要有以下兩方面:
(1)MCCD集成了AFE,可直接輸出量化后的數(shù)字圖像信號(hào);
(2)MCCD使用CMOSI藝,無需CCD的高壓驅(qū)動(dòng),因此除了省去高壓驅(qū)動(dòng)芯片以外;電源的設(shè)計(jì)也相對簡化了,PCB上能有更加干凈的電源。
此外;MCCD除了具有和主流監(jiān)控圖像傳感器CCD相同的數(shù)據(jù)輸出接口(可以直接和CCD配套的DSP接口)之外,還具備更高的可見光及近紅外靈敏度,低照度下的信噪比也更為優(yōu)良,特別適用于“平安城市”全天候監(jiān)控,室外中遠(yuǎn)距離大范圍的夜視監(jiān)控和高端無紅暴、需要940NM波長紅外燈補(bǔ)充的專業(yè)監(jiān)控?cái)z像機(jī)系統(tǒng)。
在技術(shù)基礎(chǔ)方面,MCCD具有以下特點(diǎn):
(1)高性能的像素設(shè)計(jì),高靈敏度的像素設(shè)計(jì)是成就MCCD的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
(2)高速并行技術(shù),幀速每秒可超2000幀。
(3)高速紅外三維影像捕捉,全球的全局結(jié)合滾動(dòng)高這曝光模式。
(4)獨(dú)有防蒙塵技術(shù),能夠消除50%以上的圖像固形噪聲,提高畫面品質(zhì)。
MCCD的研制成功,標(biāo)志著中國的安防監(jiān)控行業(yè)在高端監(jiān)控?cái)z像機(jī)前端設(shè)備核心技術(shù)上取得重要突破,使我國高端主流監(jiān)控?cái)z像機(jī)的制造業(yè)有了質(zhì)的飛躍,也讓中國安防監(jiān)控業(yè)在擺脫日美等國家在市場和技術(shù)上的壟斷道路上邁出了重要的一步。
綜上所述,MCCD是使用CMOS工藝制造的具備CCD畫質(zhì)、兼容CCD讀出格式及讀出方式的新一代圖像傳感器,它具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán).超高的紅外靈敏度、優(yōu)異的夜視效果及更好的動(dòng)態(tài)范圍,將逐漸走向市場,接受市場洗禮和挑戰(zhàn)。
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CCD與CMOS技術(shù)
1.CCD技術(shù)
CCD的英文全稱是Charge-coupledDevice,中文全稱是電行耦合元件,通常稱為CCD圖像傳感器。CCD是一種半導(dǎo)體器件,能夠把光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào),CCD上植入的微小光敏物質(zhì)稱作像素(Pixel),一塊CCO上包含的像素?cái)?shù)越多,其提供的畫面分辨率也就越高。CCD作用就像膠片一樣,但它是把圖像像素轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),CCD上有許多排列整齊的電容,能感應(yīng)光線,并將影像轉(zhuǎn)變成數(shù)字信號(hào)。經(jīng)由外部電路的控制,每個(gè)小電容能將其所帶的電行轉(zhuǎn)給它相鄰的電容。
CCD圖像傳感器可直接將光學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬電流信號(hào),電流信號(hào)經(jīng)過放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)圖像的獲取.存儲(chǔ)、傳輸.處理和重現(xiàn),如圖1所示。CCO圖像傳感器具有如下特點(diǎn):(1)體積小重量輕,(2)功耗小,工作電壓低;抗沖擊與震動(dòng),性能穩(wěn)定,壽命長;(3)靈敏度高,噪聲低,動(dòng)態(tài)范圍大;(4}響應(yīng)速度快,有自掃描功能,圖像畸變小,無殘像;(5)應(yīng)用超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)生產(chǎn),像素集成度高,尺寸精確,商品化生產(chǎn)成本低。CCD傳感器的特點(diǎn)在于因?yàn)橛兄蟮母泄庠,而帶來更加?qiáng)勁的低照度能力。因此,雖然大家在高清中對于CMOS更加的期待,不過在一些樓梯間,地下車場或者夜視監(jiān)控等環(huán)境的工作中,CCD顯然還要比CMOS有著更加出色的發(fā)揮。
CCD從功能上可分為線陣CCD和面陣CCD兩大類。線陣CCD通常將CCD內(nèi)部電極分成數(shù)組,每組稱為一相,并施加同樣的時(shí)鐘脈沖。所需相數(shù)由CCD芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定,結(jié)構(gòu)相異的CCD可滿足不同場合的使用要求。線陣CCD有單溝道和雙溝道之分,其光敏區(qū)是MOS電容或光敏二極營結(jié)構(gòu),生產(chǎn)工藝相對較簡單。它由光敏區(qū)陣列與移位寄存器掃描電路組成,特點(diǎn)是處理信息速度快,外圍電路簡單,易實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)控制;但獲取信息量小,不能處理復(fù)雜的圖像。面陣CCD的結(jié)構(gòu)要復(fù)雜得多,它由很多光敏區(qū)排列成一個(gè)方陣,并以一定的形式連接成一個(gè)器件,獲取信息量大,能處理復(fù)雜的圖像。
自CCD問世四十年來,CCD器件及其應(yīng)用技術(shù)的研究取得了驚人的進(jìn)展,特別是在圖像傳感和非接觸測量領(lǐng)域的發(fā)展更為迅速。隨著CCD技術(shù)和理論的不斷發(fā)展,CCD技術(shù)應(yīng)用的廣度與深度必將越來越大。CCD是使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料集成,它能夠根據(jù)照射在其面上的光纜產(chǎn)生相應(yīng)的電行信號(hào),在通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片轉(zhuǎn)換成“0”或“1”的數(shù)字信號(hào),這種數(shù)字信號(hào)經(jīng)過壓縮和程序排列后,可由閃速存儲(chǔ)器或硬盤卡保存即收光信號(hào)轉(zhuǎn)換成計(jì)算機(jī)能識(shí)別的電子圖像信號(hào),可對被測物體進(jìn)行準(zhǔn)確的測量、分析。
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2、CMOS技術(shù)
CMOS(CompementaryMetalOxideSemiconductor)指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,是電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。在數(shù)字影像領(lǐng)域,CMOS作為一種低成本的感光元件技術(shù)被發(fā)展出來,市面上常見的數(shù)碼產(chǎn)品,其感光元件主要就是CCD或者CMOS,尤其是低端攝像頭產(chǎn)品,而通常高端攝像頭都是CCD感光元件。
CMOS制造工藝被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件,是將純粹邏輯運(yùn)算的功能轉(zhuǎn)變成接收外界光線后轉(zhuǎn)化為電能,再造過芯片上的模一數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)將獲得的影像訊號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)輸出。CMOS與CCD主要有以下不同:
(1)成像過程
CCD與CMOS圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同,他們主要的差別在于信號(hào)的讀出過程不同;由于CCD僅有一個(gè)(或少數(shù)幾個(gè))輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出,其信號(hào)輸出的一致性非常好;而CMOS芯片中,每個(gè)像素都有各自的信號(hào)放大器,各自進(jìn)行電行一電壓的轉(zhuǎn)換,其信號(hào)輸出的一致性較差。但是CCD為了讀出整幅圖像信號(hào),要求輸出放大器的信號(hào)帶寬較寬,而在CMOS芯片中,每個(gè)像元中的放大器的帶寬要求較低,大大降低了芯片的功耗,這就是CMOS芯片功耗比CCO要低的主要原因。盡管降低了功耗,但是數(shù)以百萬的放大器的不一致性卻帶來了更高的固定噪聲,這又是CMOS對CCD的固有劣勢。
(2)集成性
從制造工藝的角度看,CCD中電路和器件是集成在半導(dǎo)體單晶材料商,工藝較復(fù)雜,世界上只有少數(shù)幾家廠商能夠生產(chǎn)CCD晶元,如DALSA.SONY、松下等。CCD僅能輸出模擬電信號(hào),需要后續(xù)的地址譯碼器、模擬轉(zhuǎn)換器、圖像信號(hào)處理器處理,并且還需要提供三組不同電壓的電源同步時(shí)鐘控制電路,集成度非常低。而CMOS是集成在被稱作金屬氧化物的版單體材料上,這種工藝與生產(chǎn)數(shù)以萬計(jì)的計(jì)算機(jī)芯片和存儲(chǔ)設(shè)備等半導(dǎo)體集成電路的工藝相同,因此聲場CMOS的成本相對CCD低很多。同時(shí)CMOS芯片能將圖像信號(hào)放大器、信號(hào)讀取電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、圖像信號(hào)處理器及控制器等集成到一塊芯片上,只需一塊芯片就可以實(shí)現(xiàn)相機(jī)的所有基本功能,集成度很高,芯片級相權(quán)概念就是從這產(chǎn)生的。隨著CMOS成像技術(shù)的不斷發(fā)展,有越來越多的公司可以提供高品質(zhì)的CMOS成像芯片,包括:Micron、CMOSIS、Cypress等。
(3)速度
CCD采用逐個(gè)光敏輸出,只能按照規(guī)定的程序輸出,速度較慢。CMOS有多個(gè)電荷一電壓轉(zhuǎn)換器和行列開關(guān)控制,讀出速度快很多,大部分500fps以上的高速相機(jī)都是CMOS相機(jī)。此外CMOS的地址選通開關(guān)可以隨機(jī)采樣,實(shí)現(xiàn)子窗口輸出,在僅輸出于商口圖像時(shí)可以獲得更高的速度。
(4)噪聲
CCD技術(shù)發(fā)展較早,比較成熟,采用PN結(jié)或二氧化硅隔離層隔離噪聲,成像質(zhì)量相對CMOS光電傳感器有一定優(yōu)勢。由于CMOS圖像傳感器集成度高,各元件、電路之間距離很近,干擾比較嚴(yán)重,噪聲對圖像質(zhì)量影響很大。隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷發(fā)展,為生產(chǎn)高密度優(yōu)質(zhì)的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件